| 发明名称 | 带自对准栅极的快闪存储单元及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种非易失性存储单元和方法，其中隔离氧化区形成在衬底中有源区的两个相对的侧面上，高度为衬底上有源区宽度的80％到160％数量级的高度；在栅极氧化物上以及沿隔离氧化物的侧面淀积第一层硅，形成具有基本上与栅极氧化物共同延伸的底壁和高度为底壁宽度的80％到160％数量级的侧壁的浮栅；在浮栅上形成介质膜，在介质膜上淀积第二层硅并构图形成控制栅。 | ||
| 申请公布号 | CN1323440C | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN00800528.1 | 申请日期 | 2000.02.17 |
| 申请人 | 西利康存储技术股份有限公司 | 发明人 | 陈秋峰 |
| 分类号 | H01L29/788(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/788(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种存储单元，包括：具有有源区的衬底；形成在衬底上有源区上的氧化层；浮栅，具有设置在氧化层上有圆形弯曲部分的侧壁；比浮栅厚的控制栅，设置在浮栅上并与浮栅垂直对准；浮栅和控制栅之间的介质膜；选择栅，设置在控制栅一侧并面向带圆形弯曲部分的浮栅侧壁；选择栅和浮栅之间的隧道氧化物；以及擦除操作期间电子迁移的隧穿路径，从带有圆形弯曲部分的浮栅侧壁延伸穿过隧道氧化物到达选择栅。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||