半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置的制造方法，用于制造具有MOS型场效应晶体管的半导体装置，该MOS型场效应晶体管具有：形成在半导体基板的表层部的第1导电型的沟道区域、形成在贯穿过该沟道区域而形成的沟槽的边缘部的第2导电型的源极区域、以及形成在所述半导体基板的表层部并与所述源极区域邻接的第1导电型的基极区域。该方法包括：在形成有沟道区域的半导体基板上，形成具有与基极区域对应的基极区域形成用开口及与沟槽对应的沟槽形成用开口的掩模层的工序；通过所述掩模层的基极区域形成用开口掺入杂质的基极区域形成工序；通过沟槽形成用开口形成沟槽的沟槽形成工序；以及在该沟槽的内壁面上形成栅极绝缘膜的工序。

主权项

1、一种半导体装置的制造方法，用于制造具有MOS型场效应晶体管的半导体装置，该MOS型场效应晶体管具有：形成在半导体基板的表层部的第1导电型的沟道区域、形成在贯穿过该沟道区域而形成的沟槽的边缘部的第2导电型的源极区域、以及形成在所述半导体基板的表层部并与所述源极区域邻接的第1导电型的基极区域，其特征在于：包括：为了形成沟道区域，向半导体基板的表层部掺入旨在控制第1导电型的杂质的工序；在形成有所述沟道区域的半导体基板上，形成具有与基极区域对应的基极区域形成用开口及与沟槽对应的沟槽形成用开口的掩模层的工序；为了形成基极区域，通过所述掩模层的基极区域形成用开口，向所述沟道区域的表层部掺入旨在控制第1导电型的杂质的基极区域形成工序；通过所述掩模层的沟槽形成用开口对所述半导体基板的表层部进行蚀刻，从而形成贯穿过所述沟道区域的沟槽的沟槽形成工序；以及在该沟槽的内壁面上形成栅极绝缘膜的工序。