| 发明名称 | 具有控制应力的氮化硅膜 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种包含一多层氮化物层叠的组件(assembly)，该多层氮化物层叠具有多层氮化物蚀刻终止层，且每一氮化物蚀刻终止层彼此层叠，并通过一薄膜形成工艺来形成每一层氮化物蚀刻终止层。一种制造该多层氮化物层叠的方法包括将一衬底置于一单一晶片沉积室中，以及在沉积的前一刻，先对该衬底作热冲击处理(thermal shock)。一第一氮化物蚀刻终止层沉积于该衬底上。一第二氮化物蚀刻终止层沉积于该第一氮化物蚀刻终止层上。 | ||
| 申请公布号 | CN1989622A | 申请公布日期 | 2007.06.27 |
| 申请号 | CN200580024991.6 | 申请日期 | 2005.07.05 |
| 申请人 | 应用材料股份有限公司 | 发明人 | 瑟亚纳拉亚南·R·伊耶;安德鲁·M·拉姆;前田佑二;汤姆斯·梅内;雅各布·W·史密斯;肖恩·M·索特;桑吉乌·坦登;兰德希尔·P·辛格·撒库;森德拉奇·西鲁帕普里尤 |
| 分类号 | H01L29/10(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/10(2006.01) |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人 | 徐金国;梁挥 |
| 主权项 | 1.一种组件，其包括：一多层氮化物层叠，其具有多层氮化物蚀刻终止层，且该多层氮化物蚀刻终止层相互形成于彼此的顶面上，每一氮化蚀刻终止层使用一薄膜形成工艺所形成。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||