硫化物半导体纳米线的制备方法

摘要

本发明公开了一种基于前驱体热解法在阳极氧化铝(PAA)模板中合成II－VI族硫化物半导体纳米线的制备方法。该制备方法以短碳链双烷基硫磷化合物配位稳定的金属有机配合物为前驱体，通过简单的浸泡方式以及后续的高温热处理，即可得到II－VI族硫化物半导体纳米线阵列和纳米线。所得纳米线长径比均一，纳米线直径大小可随着模板孔径的大小调整，线长可达10微米左右。本制备方法具有原料廉价易得、合成工艺简便、成本低、适用范围广等特点。

主权项

1、一种硫化物半导体纳米线的制备方法，其特征在于该方法具体包括以下步骤：a、以可溶性金属镉或铅的盐、低碳醇及五硫化二磷为原料，先使低碳醇与五硫化二磷在甲苯中回流反应，所得物再与金属盐溶液在室温下反应，所得固体经过滤、洗涤、干燥之后再分散于极性有机溶剂中，即可得到透明的前驱体溶液；b、在真空状态下，将阳极氧化铝模板浸入到前驱体溶液中15～30分钟；c、取出模板，在室温下干燥3小时；然后氮气保护下，100℃保温0.5～1小时，250～700℃保温反应2～4小时，所得为硫化物半导体纳米线阵列。