| 主权项 |
1.一种导电糊组合物(16),包括: 一种锡(Sn)合金;和 一种助熔剂组合物,其中该助熔剂组合物包括1至50 重量%4-羟苯甲酸,0至40重量%聚乙二醇,2至99重量%聚 丙二醇丁基醚,和0至30重量%己二酸。 2.根据申请专利范围第1项之导电糊组合物,其中该 聚乙二醇具有以下通式: 其中n为择自整数5至100之族群之整数。 3.根据申请专利范围第2项之导电糊组合物,其中n= 20。 4.根据申请专利范围第1项之导电糊组合物,其中该 聚丙二醇丁基醚具有以下通式: 其中n为择自整数6至100之族群之整数,R1为氢,且R2 为C4H9。 5.根据申请专利范围第4项之导电糊组合物,其中n= 65。 6.一种形成导电突块之方法,其包括以下步骤: 提供一种其上配置连接垫(13)之基材(10); 于连接垫上配置焊接组合物(16),其中该焊接组合 物基本上包括: 一种锡(Sn)合金; 一种助熔剂组合物,包括1至50重量%4-羟苯甲酸,0至 40重量%聚乙二醇,2至99重量%聚丙二醇丁基醚,和0至 30重量%己二酸;且 将焊接组合物回流以形成导电突块(18)。 图式简单说明: 图1为根据本发明具体实施例制造之开始阶段,半 导体晶圆之高度放大截面图; 图2为制造期间图1半导体晶圆之高度放大截面图; 且 图3为图1半导体晶圆之高度放大截面图,其根据本 发明之具体实施例于其上形成导电突块。 |
