Verfahren zur Eliminierung oder Verringerung der Oxid- und/oder Russabscheidung in kohlenstoffhaltigen Schichten

摘要

Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zur Abscheidung einer kohlenstoffhaltigen Schicht auf einer Siliciumoberfläche bereit, bei dem sich während der Abscheidung eine (i) weitgehend siliciumoxidfreie oder einen verringerten Oxidgehalt aufweisende Grenzfläche zwischen dem Silicium und der kohlenstoffhaltigen Schicht ergibt. DOLLAR A Gemäß einer anderen Ausführungsform stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Abscheidung einer kohlenstoffhaltigen Schicht bereit, bei dem der Abscheidungsprozeß weitgehend rußfrei (teilchenfrei) ist oder die Rußmenge verringert.