离子注入涨落的模拟方法

摘要

本发明提供一种离子注入涨落的模拟方法，该方法根据离子注入模拟方法获得N次离子注入后，注入离子在靶材料中的最终三维位置，然后在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子的数目以及N次离子注入后每个栅格内平均停留离子的数目，进而采用统计的方法获得掺杂离子的涨落分布。本发明涨落模拟方法不仅考虑影响半导体掺杂涨落的掺杂离子数目，而且充分考虑了掺杂离子所处的深度的因素，通过本发明，基于现有的模拟数据，可以获得离子注入半导体掺杂的细致涨落，获得掺杂涨落与深度的变化关系，本发明提出的对掺杂涨落的标定方法，更加有利于数据的分析和后续的应用。

主权项

1、一种离子注入涨落的模拟方法，其特征在于，包括以下步骤：首先进行N次离子注入，获得注入离子在靶材料中的最终三维位置；其次在垂直于靶材料表面的方向进行栅格划分，获取单次离子注入后在每个栅格内的停留离子数目以及N次离子注入后每个栅格内平均停留离子数目；然后采用统计方法获得掺杂离子的涨落分布；最后根据掺杂离子的涨落分布获得半导体器件及集成电路的参数的涨落分布。