发明名称 | 激光装置、激光退火方法和半导体器件的制造方法 | ||
摘要 | 提供激光装置和激光退火方法,利用该装置和方法,可获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜,而且该装置和方法在运行成本方面较低。容易维护和耐用性强的固态激光器被用作激光器,由其发射的激光被线性化,以增加生产量和降低整个生产成本。此外,用这样的激光来照射非晶半导体薄膜的正面和背面,以获得具有更大晶粒尺寸的结晶半导体薄膜。 | ||
申请公布号 | CN1322561C | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
申请号 | CN00122783.1 | 申请日期 | 2000.08.14 |
申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;大谷久;田中幸一郎;笠原健司;河崎律子 |
分类号 | H01L21/324(2006.01) | 主分类号 | H01L21/324(2006.01) |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 郑建晖 |
主权项 | 1.一种激光装置,包括:固态激光器;光学系统,使从作为光源的所述固态激光器产生和发射的激光的截面形状线性化;处理室,用激光照射处理对象的前面和背面;反射部件,所述反射部件反射来自所述处理对象的所述前面的激光。 | ||
地址 | 日本神奈川县 |