| 发明名称 | 包括浮体晶体管无电容器存储单元的存储器件及相关方法 | ||
| 摘要 | 一种包括存储单元阵列的半导体存储器件，该存储单元阵列包括多个单位存储单元，其中每个单位存储单元包括互补第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元。由第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元的阈值电压状态的差来定义向每个单位存储单元写入和从每个单位存储单元读取的逻辑值。 | ||
| 申请公布号 | CN1983445A | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200610164262.7 | 申请日期 | 2006.12.07 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李永宅 |
| 分类号 | G11C11/401(2006.01);G11C11/4063(2006.01);G11C11/4091(2006.01);G11C11/4097(2006.01);G11C11/408(2006.01) | 主分类号 | G11C11/401(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 邸万奎;黄小临 |
| 主权项 | 1、一种半导体存储器件，包括存储单元阵列，该存储单元阵列包括多个单位存储单元，其中每个单位存储单元包括互补第一和第二浮体晶体管无电容器存储单元。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||