基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法

摘要

本发明公开了一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于(1)注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；(2)离子注入的能量范围是15～80keV，相应剂量范围是1.0×10¹⁷～6.0×10¹⁷cm^-2；(3)在1200～1375℃范围内退火，退火时间1～24个小时，退火气氛为氩气或氮气与氧气的混合气体，其中氧气的体积含量为0％～20％；(4)去除二氧化硅保护层。采用本发明的工艺制备的绝缘体上的硅锗材料埋氧层连续，晶格质量好，锗含量高，全释放，满足实用要求。

主权项

1.一种基于硅锗/硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，其特征在于依次包括二氧化硅保护层生长、含氧离子的离子注入、高温退火和去除二氧化硅层，具体工艺过程是：(1)注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚20～120nm；(2)含氧离子的离子注入的能量范围是15～80keV，相应剂量范围是1.0×1017～6.0×1017cm-2；衬底温度为400～700℃；(3)在1200～1375℃范围内退火，退火时间1～24个小时，退火气氛为氩气与氧气的混合气体和氮气与氧气的混合气体中的任一种，其中氧气的体积含量为0％～20％；(4)高温退火后，去除二氧化硅层。