制作分离编程虚拟接地SONOS型存储器的方法

摘要

本发明是一种制作分离编程虚拟接地SONOS型存储器的方法，提供一半导体基底，该半导体基底包含有一掺杂阱位于该半导体基底中，以及多个选择栅极结构。接着形成多个牺牲侧壁子结构，并于各该选择栅极结构之间的半导体基底中分别形成一掺杂区。随后去除该等牺牲侧壁子结构，并于该选择栅极结构表面与该半导体基底上形成一复合介电层。最后于该复合介电层的表面形成多个字线。

主权项

1.一种制作分离编程虚拟接地SONOS型存储器的方法，其包含有：提供一半导体基底，其包含有至少一第一导电型掺杂阱位于该半导体基底中，以及多个平行且不相接触的选择栅极结构位于该第一导电型掺杂阱表面；于各该选择栅极结构的相对侧壁分别形成一牺牲侧壁子结构；进行一离子注入工艺，利用各该选择栅极结构以及各该牺牲侧壁子结构作为屏蔽，于各该选择栅极结构间的该第一导电型掺杂阱中分别形成一第二导电型掺杂区；去除该牺牲侧壁子结构；于该半导体基底上形成一复合介电层并覆盖各该选择栅极结构表面；于该复合介电层的表面形成多个不相接触且与各该选择栅极结构正交的字线。