| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件及其制造方法，在制造例如称作BGA的半导体器件时，即使需要研磨工序，也能够以低价使用低精度的研磨装置简单地进行研磨。在基板(1)上的粘接层(2)上的预定多个部位，布置被称作CSP的半导体构成体(3)。接着，在半导体构成体(3)之间，布置由热固化性树脂构成的绝缘构件材料(13A)，通过使用一对加热加压板进行加热加压，形成绝缘构件。此时，即使绝缘构件材料(13A)中的树脂向半导体构成体(3)上流出，也能够以低价使用低精度的抛光或循环研磨带来简单地对其研磨后除去。然后，在其上形成上层绝缘膜、上层再布线、焊锡球等，接着，在相互邻接的半导体构成体(3)之间进行切断后，可以得到多个具备焊锡球的半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1322583C | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200310113138.4 | 申请日期 | 2003.12.24 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社 | 发明人 | 定别当裕康 |
| 分类号 | H01L23/48(2006.01);H01L23/12(2006.01);H01L21/60(2006.01) | 主分类号 | H01L23/48(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 黄剑锋 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，其特征在于，具备：半导体构成体(3)，在上表面具有多个外部连接部(11)；绝缘构件(13)，设置在上述半导体构成体(3)的侧方，由含有加固材料的树脂构成；绝缘膜(14)，设置在上述半导体构成体(3)的、除外部连接部(11)之外的上表面及上述绝缘构件(13)的上表面上；以及多个上层再布线(16或19)，在上述绝缘膜(14)上，分别与上述半导体构成体(3)的外部连接部(11)连接而设置，且具有连接焊盘部，至少为一层；上述上层再布线(16或19)中的最上层的上层再布线(19)的至少一部分连接焊盘部，设置在与上述绝缘构件(13)对应的区域上。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||