发明名称 电子发射装置及其驱动方法
摘要 本发明提供一种电子发射装置及其驱动方法,所述电子发射装置用于显示器、摄像元件、平面光源等,能够抑制经时变化。电子发射装置的驱动方法是具有多个封装起来的电子发射元件的电子发射装置的驱动方法,各个电子发射元件包括:电子供给层,其由硅或主成分为硅的混合物或硅的化合物构成;绝缘体层,其形成于电子供给层上;以及金属薄膜电极,其形成于绝缘体层上,驱动方法的特征在于,其包括:驱动步骤,对电子供给层和金属薄膜电极层之间供电,从电子发射元件发射电子;以及再活化步骤,在驱动步骤之后施加再活化电压,所述再活化电压为使得在电子供给层和金属薄膜电极之间流动的元件电流关于施加电压的微分值中产生不连续的施加电压值以上的电压。
申请公布号 CN1985292A 申请公布日期 2007.06.20
申请号 CN200580022818.2 申请日期 2005.06.24
申请人 先锋株式会社 发明人 根岸伸安;酒村一到;吉川高正;小笠原清秀
分类号 G09G3/22(2006.01);G09G3/20(2006.01);H01J1/312(2006.01);H01J29/04(2006.01);H01J31/12(2006.01) 主分类号 G09G3/22(2006.01)
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 黄纶伟
主权项 1.一种电子发射装置的驱动方法,该电子发射装置具有封装起来的多个电子发射元件,各个电子发射元件包括:电子供给层,其由硅或主成分为硅的混合物或硅的化合物构成;绝缘体层,其形成于所述电子供给层上;以及金属薄膜电极,其形成于所述绝缘体层上,所述驱动方法的特征在于,其包括:驱动步骤,对所述电子供给层和所述金属薄膜电极层之间供电,从所述电子发射元件发射出电子;以及再活化步骤,在所述驱动步骤之后施加下述施加电压值以上的再活化电压,所述施加电压值使得在所述电子供给层和所述金属薄膜电极之间流动的元件电流关于施加电压的微分值中产生不连续。
地址 日本东京