| 发明名称 | 设计图形、光掩模、光刻胶图形及半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种设计图形的制作方法，该方法具备如下的工序：准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序；求上述第1孔图形和与第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序；根据上述距离和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量，求上述第1孔图形的扩大量的工序；制作具有用上述扩大量扩大了上述第1孔图形的第2孔图形的第2设计图形的工序。 | ||
| 申请公布号 | CN1322546C | 申请公布日期 | 2007.06.20 |
| 申请号 | CN200410070564.9 | 申请日期 | 2004.08.06 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 宫崎真纪;三本木省次 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 | 代理人 | 李峥;于静 |
| 主权项 | 1.一种设计图形的制作方法，具备：准备含有第1孔图形的第1设计图形的工序；求上述第1孔图形与和第1孔图形相邻的图形之间的距离的工序；根据上述距离、和形成在光刻胶膜上的孔图形在加热光刻胶膜时的缩小量，求上述第1孔图形的扩大量的工序；以及制作具有用上述扩大量把上述第1孔图形扩大后的第2孔图形的第2设计图形的工序；其中，上述距离越大、上述扩大量就越大。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||