发明名称 使用封装技术之静电保护的静电放电保护机制
摘要 本发明系利用封装技术来完成静电保护及杂讯滤除机制,藉以解决晶片上静电保护能力不足的问题,或加强整体静电保护能力,并且提升晶片性能。本发明的放电路径主要是采用封装上的导电元件。当静电电荷灌入此封装后的积体电路上,本发明藉由封装上的导电元件瞬间提供放电路径,藉以迅速排掉此静电电荷,并保护晶片上内部核心电路。晶片上的杂讯亦透过一保护环及上述放电路径而滤除掉。本发明可大幅提升封装后积体电路的静电保护能力,尤其是当晶片的面积很大或者是晶片上有多组的电源供应电时,其成效更加明显。
申请公布号 TW200723490 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW094143163 申请日期 2005.12.07
申请人 加尔发半导体股份有限公司 发明人 高宏鑫
分类号 H01L23/60(2006.01) 主分类号 H01L23/60(2006.01)
代理机构 代理人 潘海涛
主权项
地址 新竹市光复路2段289号16楼