发明名称 单石低杂讯放大器支援积体电路
摘要 一种低杂讯放大器(LNA)包含:安排来处理该放大器接收之信号的多个FET;安排来接收电源以操作该LNA之一电源输入;与一单石支援积体电路(IC)。该单石支援IC包含:安排来监视与控制每一个FET之该汲极电流的一FET控制电路;一FET选择电路,其安排来检测供应至该电源输入之一电压信号的一DC成分之准位,并根据该受检测之DC准位来提供一FET选择信号至该FET控制电路,该FET控制电路回应该FET选择信号以去能该等多个FET其中之二的一选定之FET;一电压调节器电路,其连接至该电源输入并适于从一电压信号来产生一受调节之输出电压至该电源输入;与一负压电源产生器,其连接来接收该受调节之输出电压,并安排来从该受调节之输出电压产生一负供应电压,与提供该负供应电压至该FET控制电路,该FET控制电路安排来使用该负供应电压以提供负闸极驱动电压至该等FET。
申请公布号 TW200723675 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095140179 申请日期 2006.10.31
申请人 力泰克斯半导体公司 发明人 布雷得贝瑞 大卫
分类号 H03F3/04(2006.01) 主分类号 H03F3/04(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 英国
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