发明名称 低温溅镀高阻値ITO导电透明基材构造及制造方法
摘要 一种低温溅镀高阻值ITO导电透明基材构造及制造方法,具有易于设置及易于大量生产线施行之优点。可以镀多层膜于基材之构造,而在光电产业之高阻值ITO导电层面板材料上量产,而且较知之金属氧化物高阻值ITO导电层触控面板之量产方法为优良。主要系利用一层ITO混合金属氧化物层,再配合多层交叠镀层以形成高透光特性,然后经排定连续式生产的流程,并且组合传统溅镀生产机台,再配合加热及回火使高阻值层稳定化,而达成高稳定阻值与高穿透率之效果。
申请公布号 TW200722540 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW094143682 申请日期 2005.12.09
申请人 冠华科技股份有限公司 发明人 翁健闵;朱兆杰;周世良
分类号 C23C14/08(2006.01) 主分类号 C23C14/08(2006.01)
代理机构 代理人 谢宗颖;王云平
主权项
地址 新竹市东区新竹科学工业园区园区二路47号203室