发明名称 用于晶圆乾蚀刻之电极及其电极室
摘要 本发明系有关于一种用于晶圆乾蚀刻之电极及其电极室,其主要系提供一种用于晶圆乾蚀刻之电极室,其系由一对第一电极及一第二电极所组合而成,藉由在一真空室内提供制程气体及一RF电源以形成电浆,用以移除晶圆边缘之异物,而该电极室包含有:一第一电极,该第一电极系由一环状第一突出部及第一非突出部所构成,两者相对于晶圆上表面或下表面之其中一侧;一第二电极,该第二电极系由一环状第二突出部及第二非突出部所构成,而该第二突出部及第二非突出部之直径则分别较第一突出部及第一非突出部之外围直径小,两者相对于晶圆上表面或下表面之另一侧;一上绝缘体,其系以一绝缘物质所制成,该绝缘体系设置介于该第一电极之中心位置及该第一突出部之内圆部分之间,以限制该第一突出部之内侧产生电浆;一升降板,其系以一绝缘物质所制成,该升降板是位于该第二电极之中心位置,藉由一设置在第二电极之开放部而使得该升降板可上下移动,并使该晶圆可选择性地放置在第二突出部上;一上聚焦环,其系以一绝缘物质所制成,该上聚焦环系用以限制该第一非突出物之外侧产生电浆;一外环,其系以一绝缘物质所制成,该外环系用以限制该第二非突出物之外侧产生电浆,并决定该晶圆下表面所要蚀刻之范围;一下聚焦环,其系以一绝缘物质所制成,该下聚焦环系用以限制该外环之外侧产生电浆;及一箍环,该箍环系可上下移动以连扣该升降板,并用以固定该晶圆在适当的位置。
申请公布号 TW200723396 申请公布日期 2007.06.16
申请号 TW095121973 申请日期 2006.06.20
申请人 矽科技公司 发明人 金永烈
分类号 H01L21/3065(2006.01);H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/3065(2006.01)
代理机构 代理人 朱建州
主权项
地址 韩国