发明名称 AUF GERINGE LECKAGE AUSGERICHTETE ARCHITEKTUR FÜR SUB 0,18 MIKROMETER SALIZIDIERTES CMOS BAUELEMENT
摘要
申请公布号 AT363731(T) 申请公布日期 2007.06.15
申请号 AT20000480066T 申请日期 2000.07.13
申请人 CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PTE LTD. 发明人 LIM, ENG HUA;LIM, CHONG WEE;SIAH, SOH YUN;LEE, KONG HEAN;LEE, PEI CHING
分类号 H01L21/8238;H01L21/336;H01L21/762;H01L21/8234 主分类号 H01L21/8238
代理机构 代理人
主权项
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