| 发明名称 |
Self-aligned trench field effect transistors with regrown gates and bipolar junction transistors with regrown base contact regions and methods of making |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AU2006322108(A1) |
申请公布日期 |
2007.06.14 |
| 申请号 |
AU20060322108 |
申请日期 |
2006.12.04 |
| 申请人 |
SEMISOUTH LABORATORIES, INC. |
发明人 |
JOSEPH NEIL MERRETT;IGOR SANKIN |
| 分类号 |
H01L21/04;H01L29/737;H01L29/808 |
主分类号 |
H01L21/04 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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