| 发明名称 | 制备有机薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。根据该方法，被光刻法损坏的栅绝缘膜表面能够有效地恢复。另外，能够制得具有高载流子迁移率和高开/关电流比的有机薄膜晶体管。 | ||
| 申请公布号 | CN1979913A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510129418.3 | 申请日期 | 2005.12.08 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴铉定;具本原;李相润;郑银贞;金周永;慎重汉 |
| 分类号 | H01L51/40(2006.01);H01L51/05(2006.01) | 主分类号 | H01L51/40(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 张平元;赵仁临 |
| 主权项 | 1.一种制备有机薄膜晶体管的方法，该有机薄膜晶体管包括按此顺序形成于衬底上的栅极、栅绝缘膜、源极/漏极和有机半导体层，其中其上面形成有源极/漏极的栅绝缘膜的表面用无机或有机酸浸渍，随后进行退火。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||