| 发明名称 | 具有优化的边缘结构的DMOS晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明说明了一种横向DMOS晶体管(10)，具有一个第一导电类型的第一区域(12)，该第一区域被一个第二导电类型的第二区域(14)在侧面围绕，其中在两个区域(12，14)之间的一个边界线(16)具有彼此相对的直的区段(16.1)以及将这些直的区段(16.1)相连接的、至少部分弯曲的区段(16.2)，该DMOS晶体管(10)还具有一个用作场区的第一介电结构(20)，该第一介电结构被嵌入该第一区域(12)中并且围绕该第一区域的一个部分区域(22)。该晶体管(10)的特征在于，该第一介电结构和该边界线之间的一个第一距离(d1)沿着这些直的区段(16.1)比沿着这些弯曲的区段(16.2)大。 | ||
| 申请公布号 | CN1979897A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610153123.4 | 申请日期 | 2006.12.07 |
| 申请人 | ATMEL德国有限公司 | 发明人 | 弗朗茨·迪茨;米夏埃多·格拉夫;斯特凡·施万特斯 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 曾立 |
| 主权项 | 1.横向DMOS晶体管(10)，具有一个第一导电类型的第一区域(12)，该第一区域被一个第二导电类型的第二区域(14)在侧面围绕，其中在两个区域(12，14)之间的一个边界线(16)具有彼此相对的直的区段(16.1)以及将这些直的区段(16.1)相连接的、至少部分弯曲的区段(16.2)，该DMOS晶体管(10)还具有一个用作场区的第一介电结构(20)，该第一介电结构被嵌入该第一区域(12)中并且围绕该第一区域的一个部分区域(22)，其特征在于，该第一介电结构(20)和该边界线(16)之间的一个第一距离(d1)沿着这些直的区段(16.1)比沿着这些弯曲的区段(16.2)大。 | ||
| 地址 | 德国海尔布隆 | ||