| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，包括：硅基板，在硅基板上提供的栅绝缘体，在栅绝缘体上提供的栅电极，在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体，在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体，以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅电极侧表面方向的下端部之下，以及第二侧壁绝缘体覆盖栅绝缘体的端部。 | ||
| 申请公布号 | CN1979899A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610164220.3 | 申请日期 | 2006.12.05 |
| 申请人 | 尔必达存储器股份有限公司 | 发明人 | 横山成之 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 孙纪泉 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，包括：硅基板；在硅基板上提供的栅绝缘体；在栅绝缘体上提供的栅电极；在栅电极的侧面上提供的第一侧壁绝缘体；在第一侧壁绝缘体上提供的第二侧壁绝缘体；以及源和漏扩散区，其中栅绝缘体在栅极长度方向的端部直接处于第一侧壁绝缘体在栅电极侧表面方向的下端部之下，以及第二侧壁绝缘体覆盖栅绝缘体的端部。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||