一种高速低谐波的可控电抗器

摘要

本发明提供了一种高速低谐波的可控电抗器，属于动态无功功率补偿技术领域。由三相三绕组变压器(1)，低压可控硅控制电抗器模块组(2)两部分组成。三相三绕组变压器(1)为Y/Y/Δ接线，高压侧为星形接线，三相引线接入三相电网。低压可控硅控制电抗器模块组(2)由两个TCR模块构成；其中，一个模块接入三相三绕组变压器低压侧的三角形绕组，另一个模块接入星形绕组，这样的两个模块构成一个模块组。本发明的优点在于：不但具有无功功率连续可调、响应速度快等优点，还使得注入系统的谐波在整个容量调节范围内极小，无需配置滤波装置；采用低压模块并联结构，便于系统容量扩展及冗余设计，提高了系统可靠性；采用的低压拓扑避免了器件串联，降低了成本。

主权项

1、一种高速低谐波的可控电抗器，其特征在于：由三相三绕组变压器(1)、低压可控硅控制电抗器模块组(2)组成，三相三绕组变压器(1)为星形/星形/三角形接线，高压侧为星形接线，三相引线接入三相电网；低压侧有两个绕组，分别是星形和三角形接线，其线圈匝数比为1：使得低压侧两个绕组的线电压保持一致；星形和三角形绕组的三相引出线共6条，分别连接到接成三角形的可控硅控制电抗器模块三个角上；低压可控硅控制电抗器模块组(2)由两个可控硅控制电抗器模块构成；其中，一个模块接入三相三绕组变压器低压侧的三角形绕组，另一个模块接入三相三绕组变压器低压侧的星形绕组，这样的两个模块构成一个模块组；每个可控硅控制电抗器模块由三个可控硅控制电抗器支路接成三角形，每个可控硅控制电抗器支路由两只反并联可控硅与一个铁心电抗器串联构成，反并联可控硅两端并联了阻容吸收电路以保护可控硅；阻容吸收电路由电阻和电容串联而成，每个模块的可控硅控制电抗器支路均采用相控或投切模式。