| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明的目的在于，提供一种具有可以抑制漏电流且可以维持高相对介电常数的MIM电容器的半导体装置及其制造方法。下部电极(16)中与电容绝缘膜(17)相接的上层是通过例如MOCVD法成膜的非晶质氮化钛膜(16B)。若在下部电极(16)上通过例如ALD法成膜作为电容绝缘膜(17)的HfO<SUB>x</SUB>膜，则由于基底是非晶质的氮化钛膜(16B)，所以，膜不会继承基底的结晶性而成膜为非晶质的电介质膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1979870A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200610151362.6 | 申请日期 | 2006.09.07 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 大塚隆史;中林隆;柴田义行 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L21/8242(2006.01);H01L21/8222(2006.01);H01L21/82(2006.01);H01L21/02(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，其具备在基板上依次层叠了下部电极、电容绝缘膜以及上部电极而形成的电容器，所述下部电极具有第一导电层、和形成在所述第一导电层上且电阻率比所述第一导电层高的第二导电层；所述电容绝缘膜与所述下部电极中的所述第二导电层相接而形成。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||