发明名称 STRUCTURE FOR AND METHOD OF FABRICATING A HIGH-SPEED CMOS-COMPATIBLE GE-ON-INSULATOR PHOTODETECTOR
摘要
申请公布号 EP1728283(B1) 申请公布日期 2007.06.13
申请号 EP20050723468 申请日期 2005.02.22
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 CHU, JACK, O.;DEHLINGER, GABRIEL, K.;GRILL, ALFRED;KOESTER, STEVEN, J.;OUYANG, QIGING;SCHAUB, JEREMY, D.
分类号 H01L31/101 主分类号 H01L31/101
代理机构 代理人
主权项
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