| 发明名称 | 一种半导体金属电容 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体金属电容，该电容具有多层介电层，所述各介电层采用不完全相同的介电材料，从而使得电容受电压依存性的影响大大减小，以满足各种特殊场合的要求。 | ||
| 申请公布号 | CN1979868A | 申请公布日期 | 2007.06.13 |
| 申请号 | CN200510111038.7 | 申请日期 | 2005.12.01 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 徐向明;姚泽强 |
| 分类号 | H01L27/108(2006.01);H01L27/102(2006.01);H01L27/10(2006.01);H01L27/00(2006.01);H01L29/92(2006.01);H01L23/52(2006.01) | 主分类号 | H01L27/108(2006.01) |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 1.一种半导体金属电容，包括两个输出电极、上层金属板、中间金属板、下层金属板、两层介电层和填充材料，所述电容为层叠式结构，由下到上依次为下层金属板、介电层、中间金属板、另一介电层和上层金属板，所述中间金属板由穿过填充材料的并且内部填充有导电材料的金属通孔与一个输出电极相连接，所述上层金属板和下层金属板分别由穿过填充材料的并且内部填充有导电材料的金属通孔与另一输出电极相连接，其特征在于，所述两层介电层分别用不同的介电材料。 | ||
| 地址 | 201206上海市浦东新区川桥路1188号 | ||