| 发明名称 | 制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在第一和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一、第二以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1320599C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200410100105.0 | 申请日期 | 2002.01.19 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 浜田崇;村上智史;山崎舜平;中村理;梶尾诚之;肥塚纯一;高山彻 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/336(2006.01);H01L21/8234(2006.01);G02F1/133(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 梁永 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一个衬底上形成第一半导体岛区和第二半导体岛区；在所述第一半导体岛区和第二半导体岛区上形成栅绝缘膜；在第一半导体岛区之上形成第一和第二栅电极，在第二半导体岛区之上形成第三栅电极，所述第一、第二和第三栅电极中每个栅电极都包括第一导电膜和第二导电膜；使用上述第一和第二栅电极以及第三栅电极作为掩膜，向上述第一半导体岛区和第二半导体岛区掺入第一杂质元素；使用分别覆盖上述第一和第二栅电极的第一和第二光刻胶掩膜和上述第三栅电极作为掩膜，向上述第一半导体岛区和第二半导体岛区掺入第二杂质元素；和在上述第一和第二栅电极以及第三栅电极上形成一个绝缘膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||