发明名称 | 用于等离子体掺杂的方法和装置 | ||
摘要 | 一种用于等离子体注入的方法及装置,其中基片被定位在安装于腔体中的工作台上,所述腔体被抽成真空且被输入所要注入的杂质。第一高频电源被加载到等离子体产生元件上,从而产生等离子体,以使腔体中的杂质被注入到基片中。另外,第二高频电源被加载到工作台上。对腔体中等离子体的状态和工作台中的电压和电流进行检测。控制器根据检测到的等离子体的状态和/或检测到的电压或电流,对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制,从而控制所要注入杂质的注入浓度。 | ||
申请公布号 | CN1320605C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
申请号 | CN03159751.3 | 申请日期 | 2003.09.24 |
申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 奥村智洋;中山一郎;水野文二 |
分类号 | H01L21/223(2006.01) | 主分类号 | H01L21/223(2006.01) |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 刘晓峰 |
主权项 | 权利要求书1.一种用于等离子体注入的装置,其包括:其内部限定有真空腔体的真空容器;安装在腔体中用于支承要被注入杂质的基片的工作台;安装在腔体外的等离子体产生元件;用将第一高频电能加载到所述元件上以在腔体中产生等离子体的第一电源;用于将第二高频电能加载到所述工作台上的第二电源;用于检测等离子体状态的第一检测器;用于检测工作台中的电压或电流的第二检测器;和控制器,其用于根据由第一检测器检测到的等离子体的状态和由第二检测器检测到的电压或电流中的一个,来对第一和第二高频电源中的至少一个进行控制,从而控制所要注入杂质的注入浓度。 | ||
地址 | 日本大阪府 |