碳化硅器件及其制造方法

摘要

提供了MOS沟道器件以及制造具有混合沟道的这种器件的方法。示范性器件包括垂直功率MOSFET，其包括碳化硅的混合阱区，即包括外延形成区和注入区的碳化硅器件的阱区，并提供了这种器件的制造方法。混合阱区可包括在p型碳化硅外延层中的注入p型碳化硅阱部分、接触注入p型碳化硅阱部分并延伸到p型外延层和/或外延p型碳化硅部分的表面的注入p型碳化硅接触部分，至少一部分外延p型碳化硅阱部分对应于MOSFET的p型沟道区。

主权项

1.一种制造碳化硅MOSFET的方法，包括：在具有漂移区的碳化硅衬底上形成混合p型碳化硅阱区，该混合p型碳化硅阱区包括：在p型碳化硅外延层中的注入p型碳化硅阱部分；接触注入p型碳化硅阱部分并延伸到p型外延层的表面的注入p型碳化硅接触部分；和外延p型碳化硅部分，至少一部分外延p型碳化硅部分对应于MOSFET的p型沟道区；至少部分地在混合p型碳化硅阱区内形成第一n型碳化硅区；形成与p型沟道区相邻并延伸到漂移区以提供n型沟道区的第二n型碳化硅区；在第二n型碳化硅和至少一部分第一n型碳化硅区上形成栅极电介质；在栅极电介质上形成栅极接触；形成第一接触以接触混合p型碳化硅阱区的接触部分的一部分第一n型碳化硅区；以及在衬底上形成第二接触。