| 发明名称 | 开关用半导体器件及开关电路 | ||
| 摘要 | 提供一种开关用半导体器件，具有在由碳化硅或者蓝宝石构成的单晶基片(101)上形成的由In<SUB>x</SUB>Ga<SUB>1-x</SUB>N(其中，0≤x≤1)构成的第一化合物层(102)、在第一化合物层(102)上形成的由In<SUB>y</SUB>Al<SUB>z</SUB>Ga<SUB>1-y-z</SUB>N(其中，0≤y≤1、0＜z≤1)构成的第二化合物层(103)、和在第二化合物层(103)上形成的栅电极(105)。栅电极(105)通过在覆盖第一层间绝缘膜(106)的第二层间绝缘膜(107)上形成的金属布线(109)，与在覆盖该栅电极(105)的第一层间绝缘膜(106)上形成的电阻元件(108)电连接。这样，可以同时实现导通电阻的减小和截止电容的减小，并且获得栅宽的最优设计值。 | ||
| 申请公布号 | CN1320652C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200410064104.5 | 申请日期 | 2004.08.19 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 石田秀俊;田中毅;上田大助 |
| 分类号 | H01L27/04(2006.01);H01L29/00(2006.01);H01L29/80(2006.01) | 主分类号 | H01L27/04(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种开关用半导体器件，其特征在于，包括：第一化合物层，其在基片上形成，一般式为InxGa1-xN，其中0≤x≤1；第二化合物层，其在所述第一化合物层上形成，一般式为InyAlzGa1-y-zN，其中0≤y≤1，0＜z≤1；栅电极，其在所述第二化合物层上形成；和电阻器，其与所述栅电极连接，经由所述电阻器对上述栅电极施加控制电压。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||