| 发明名称 | 带有不同硅厚度的绝缘膜上硅装置 | ||
| 摘要 | 一种制造半导体装置的方法是包括在一绝缘层(12)上方加上一硅层(14)，且部分去除该硅层(14)的第一部分。该硅层(14)包括第一部分与第二部分，且第二部分的厚度大于第一部分的厚度。开始的时候，该硅层(14)的第一与第二部分的厚度有可能有相同的厚度。也揭示一种半导体装置。 | ||
| 申请公布号 | CN1320657C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN02825548.8 | 申请日期 | 2002.12.19 |
| 申请人 | 先进微装置公司 | 发明人 | D·A·尚;W·G·恩;J·G·佩尔兰;M·W·米歇尔 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01) | 主分类号 | H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;程伟 |
| 主权项 | 权利要求书1.一种制造半导体装置的方法，其包括以下的步骤：在绝缘层(12)上方加上一硅层(14)，该硅层(14)包括一第一部份与一第二部份；部份去除该硅层(14)的第一部份，其中第二部份的厚度大于第一部份的厚度；以及在该第一部份内形成第一晶体管以及在该第二部份内形成一第二晶体管，其中：该第一晶体管包括第一源极/漏极区(40a，42a)且该第二晶体管包括第二源极/漏极区(40b，42b)，以及该第二源极/漏极区(40b，42b)的深度大于第一源极/漏极区(40a，42a)的深度，第一源极/漏极区(40a，42a)是以第一掺杂物形成，以及第二源极/漏极区(40b，42b)是以第二掺杂物形成，以及该第二掺杂物在硅内的扩散系数大于该第一掺杂物在硅内的扩散系数。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||