| 发明名称 | 使用双金属镶嵌工艺形成接触结构的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种使用双金属镶嵌工艺形成通孔的方法，包括使用灰化工艺从低k材料中的凹形去除材料，而且在凹形的整个侧壁上保持保护间隔物以覆盖凹形中的低k材料。 | ||
| 申请公布号 | CN1976002A | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN200610143580.5 | 申请日期 | 2006.11.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社;国际商业机器公司 | 发明人 | 金在鹤;朴玩哉;林义雄 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01);H01L21/311(2006.01) | 主分类号 | H01L21/768(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1、一种使用双金属镶嵌工艺形成通孔的方法，包括：使用灰化工艺从低k材料中的凹形去除材料，而且在该凹形的整个侧壁上保持保护间隔物以覆盖该凹形中的低k材料。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||