| 发明名称 | 电荷泵装置 | ||
| 摘要 | 一种电荷泵装置，可防止闭锁超载现象的发生，同时实现大电流。其设有在P型单晶硅基板(50)上成长的N型外延硅层(51)、在该外延硅层(51)内间隔形成的P型阱区域(52A、52B)、这些P型阱区域(52A、52B)间形成的P型下分离层(58)及P型上分离层(59)。而且，在P型阱区域(52A)内形成电荷转送用晶体管(M2)，在P型阱区域(52B)内形成电荷转送用晶体管(M3)。P单晶硅(50)被偏置为接地电位或负的电位。 | ||
| 申请公布号 | CN1320649C | 申请公布日期 | 2007.06.06 |
| 申请号 | CN02159819.3 | 申请日期 | 2002.12.27 |
| 申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 金子智;大古田敏幸;名野隆夫 |
| 分类号 | H01L27/00(2006.01);G05F1/10(2006.01) | 主分类号 | H01L27/00(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 杨梧;马高平 |
| 主权项 | 权利要求书1、一种电荷泵装置，其具有串联连接的多个电荷转送用晶体管，自最终级的电荷转送用晶体管输出升压后的输出电压，其特征在于，其具有第一导电型单晶半导体基板、在该单晶半导体基板上成长的第二导电型外延半导体层、在该外延半导体层内间隔形成的多个第一导电型阱区域和在这些第一导电型阱区域间形成的第一导电型分离层，所述电荷转送用晶体管分别形成在所述多个第一导电型阱区域内。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||