发明名称 改良之薄膜电晶体
摘要 一种根据本发明之一实施例之薄膜电晶体包括:一基板;一安置于该基板上之控制电极;一安置于该控制电极上之闸极绝缘层;一安置于该闸极绝缘层上之半导体构件,其与该控制电极重叠,且包括一非晶矽之第一部分及一多晶矽之第二部分;一与该半导体构件接触之输入电极;及一与该半导体构件接触之输出电极。
申请公布号 TW200721507 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095138285 申请日期 2006.10.17
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李禹根;周振豪
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国