包含非挥发性记忆体单元之积体电路

摘要

本发明揭示一种积体电路，其包括至少一记忆体单元。该记忆体单元依序包括一电晶体与一电容器。该电晶体包括一源极、一汲极与一闸极。另外，该电容器则包括一井与一闸极。该电晶体之闸极会与该电容器之闸极保持通信。于各种其他具体实施例中，该记忆体单元包括一电晶体与一电容器，其包括不同类型(例如，P型、N型)之井。于该等具体实施例中，该电晶体之井会邻接该电容器之井。于另一具体实施例中，针对一较小型的设计，该电晶体之扩散区域系位于离该电容器之扩散区域小于2.5μm处。