发明名称 半导体积体电路装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种半导体积体装置及其制造方法。该半导体积体电路包括一包括一第一掺杂剂之半导体基板、一形成于该半导体基板上的第一导电层图案、一形成于该第一导电层图案上的层间介电层、一形成于该层间介电层上的第二导电层图案,及一用以阻挡照射至半导体基板之VUV射线的第一真空紫外光(VUV)阻挡层。
申请公布号 TW200721451 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095120308 申请日期 2006.06.08
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 张东烈;李泰政;金成焕;李受哲
分类号 H01L27/04(2006.01) 主分类号 H01L27/04(2006.01)
代理机构 代理人 陈长文;林嘉兴
主权项
地址 韩国