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发明名称
半导体积体电路装置及其制造方法
摘要
本发明提供一种半导体积体装置及其制造方法。该半导体积体电路包括一包括一第一掺杂剂之半导体基板、一形成于该半导体基板上的第一导电层图案、一形成于该第一导电层图案上的层间介电层、一形成于该层间介电层上的第二导电层图案,及一用以阻挡照射至半导体基板之VUV射线的第一真空紫外光(VUV)阻挡层。
申请公布号
TW200721451
申请公布日期
2007.06.01
申请号
TW095120308
申请日期
2006.06.08
申请人
三星电子股份有限公司
发明人
张东烈;李泰政;金成焕;李受哲
分类号
H01L27/04(2006.01)
主分类号
H01L27/04(2006.01)
代理机构
代理人
陈长文;林嘉兴
主权项
地址
韩国
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