形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法

摘要

本发明揭露了一种形成具有镶嵌式浮置闸极之非挥发性记忆体的方法。本发明提出的方法包含下列步骤。首先提供一底材，该底材具有一垫介电层于其上与一第一介电层于该垫介电层上。接着转移一埋藏扩散区图案进入该第一介电层以暴露出该垫介电层。然后形成一埋藏扩散区于该底材内。接着形成一第二介电层于该底材上。然后回蚀刻该第二介电层与该垫介电层以暴露出该埋藏扩散区及该第一介电层。接着蚀刻该曝露之埋藏扩散区以形成沟渠。然后形成浅沟渠隔离于该沟渠。接着转移一浮置闸极图案至该第一介电层与该第二介电层，并移除该第一介电层以曝露部份该垫介电层。接着移除该曝露之垫介电层以暴露出该底材。然后形成一隧穿氧化层于该底材暴露出的部份。接着形成一第一导体层于该隧穿氧化层与该底材上。然后平坦化该第一导体层以暴露出该浅沟渠隔离。接着形成一闸间介电层该第一导体层与该浅沟渠隔离上。最后形成一第二导体层于该闸间介电层上。