制作包含前侧形变超晶格层及后侧应力层之半导体元件的方法

摘要

制作半导体元件之方法，其包含在一半导体底材之后表面上形成一应力层，以及在相邻于半导体底材之前表面上形成一形变超晶格层。特定而言，应力层可包含不同于半导体底材的材料。此外，形变超格层可包含复数个堆叠层群组。形变超晶格层之每一层群组可包含定义了一基底半导体部份的复数个堆叠基底半导体单层，以及限制在相邻于基底半导体部份之晶体晶格内的至少一非半导体单层。