| 主权项 |
1.一种多层焊垫之打线方式,包含: (1)提供一晶片,该晶片具有复数个外层焊垫与复数 个内层焊垫,该些内层焊垫包含一第一焊垫,该些 外层焊垫包含一第二焊垫,且该第一焊垫与该第二 焊垫具相同电性功能; (2)提供一基板,该基板具有一置晶区、复数个第一 接垫及复数个第二接垫,且该些第二接垫相对于该 些第一接垫系远离该置晶区; (3)固定该晶片于该基板之该置晶区上; 打线接合该晶片之该第一焊垫至该晶片之该第二 焊垫; (4)打线接合该晶片之该第二焊垫至该基板之该些 第一接垫之一; (5)打线接合该晶片之该些外层焊垫至该基板之该 些第一接垫;以及 (6)打线接合该晶片之该些内层焊垫至该基板之该 些第二接垫。 2.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该打线接合方式为超音波接合(Ultrasonic Bonding;U/S)。 3.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该打线接合方式为热压接合(Thermocompression Bonding;T/S)。 4.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该打线接合方式为热超音波压接合( Thermosonic Bonding;T/S)。 5.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该第一焊垫与第二焊垫系为接地/电源焊 垫。 6.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该第一接垫系为接地/电源接垫。 7.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该第二接垫系为讯号焊垫。 8.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,其中该第一接垫系为一连贯之框型结构。 9.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,更包含一第三焊垫设置于该晶片上,该第三焊 垫与该第一、第二焊垫具相同电性功能。 10.如申请专利范围第9项所述之多层焊垫之打线方 式,更包含打线接合该晶片之一第三焊垫至该晶片 之该第一焊垫之步骤,于打线接合该晶片之该第一 焊垫至该晶片之该些第二焊垫之步骤前。 11.如申请专利范围第1项所述之多层焊垫之打线方 式,在步骤(5)与步骤(6)之间更包括,打线接合该晶 片之部份该些外层焊垫至该基板之部份该些第二 接垫。 12.一种多层焊垫之打线方式,包含: 提供一晶片,该晶片具有复数个外层焊垫与复数个 内层焊垫,该些内层焊垫包含复数个讯号焊垫及至 少一接地/电源焊垫; 提供一基板,该基板具有一置晶区、复数个讯号接 垫及至少一接地/电源接垫,且该些讯号接垫相对 于该接地/电源接垫系远离该置晶区; 固定该晶片于该基板之该置晶区上; 打线接合该些内层焊垫之该接地/电源焊垫至该些 外层焊垫其中之一; 打线接合该些外层焊垫该基板之接地/电源接垫, 以使该些内层焊垫之该至少一接地/电源焊垫与该 些外层焊垫其中之一,再与该基板之该接地/电源 接垫相连接;以及 打线接合该些内层焊垫之该些讯号焊垫至该基板 之部份该些讯号接垫。 13.如申请专利范围第12项所述之多层焊垫之打线 方式,其中该打线接合方式为超音波接合(Ultrasonic Bonding;U/S)。 14.如申请专利范围第12项所述之多层焊垫之打线 方式,其中该打线接合方式为热压接合( Thermocompression Bonding;T/S)。 15.如申请专利范围第12项所述之多层焊垫之打线 方式,其中该打线接合方式为热超音波压接合( Thermosonic Bonding;T/S)。 16.如申请专利范围第12项所述之多层焊垫之打线 方式,其中该外层焊垫系为接地/电源焊垫。 17.如申请专利范围第12项所述之多层焊垫之打线 方式,其中该基板之该接地/电源接垫系为一连贯 之框型结构。 18.如申请专利范围第12项所述之多层焊垫之打线 方式,其中该些基板之该接地/电源接垫系为分离 散布于该晶片四周的该基板上。 图式简单说明: 第一A图至第一C图为传统之多层焊垫打线方式之 流程图。 第二图为一传统打线封装结构之侧视图。 第三A图至第三D图为本发明之一实施例的多层焊 垫打线方式之流程图。 第四A图为本发明之另一实施例的多层焊垫打线封 装结构之侧视图。 第四B图为本发明之另一实施例的多层焊垫打线封 装结构之上视图。 第五A图至第五C图为本发明之另一实施例的多层 焊垫打线方式之流程图。 第六图为本发明之另一实施例的多层焊垫打线封 装结构之侧视图。 |
