| 摘要 |
一种P型通道非挥发性记忆体，由基底、第一记忆胞与第二记忆胞所组成。基底上设置有N型井区，且第一记忆胞与第二记忆胞皆设置于N型井区上。其中，第一记忆胞包括第一闸极、第一电荷储存结构、第一掺杂区与第二掺杂区。第一闸极设置于基底上，第一电荷储存结构设置于第一闸极与基底之间，第一掺杂区与第二掺杂区则设置于第一闸极两侧之基底中。第二记忆胞包括第二闸极、第二电荷储存结构、第三掺杂区与第二掺杂区。第二闸极设置于基底上，第二电荷储存结构设置于第二闸极与基底之间，第三掺杂区与第二掺杂区，设置于第二闸极两侧之基底中。其中，第二记忆胞与第一记忆胞共用第二掺杂区。 |
