发明名称 半导体装置及其制造方法
摘要 本发明提供一种制造半导体装置的方法,包含:在半导体基板(10)上或上方形成绝缘膜(12a),在该绝缘膜(12a)中形成接触孔,在该接触孔(14)中形成金属层(18),研磨该绝缘膜(12a)的上半部(upper portion)到该金属层(18)的上半部之顶面以下,以及研磨该金属层的上半部。本发明能提供一种,可减小接触孔的尺寸和其间的距离之半导体装置及用于该半导体装置之制造方法。
申请公布号 TW200721382 申请公布日期 2007.06.01
申请号 TW095136509 申请日期 2006.10.02
申请人 史班逊股份有限公司 发明人 森谷将之;远田孝之
分类号 H01L21/768(2006.01);H01L21/28(2006.01) 主分类号 H01L21/768(2006.01)
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国