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发明名称
TRANSISTOR STRUCTURE WITH STRESS MODIFICATION AND CAPACITIVE REDUCTION FEATURE IN A WIDTH DIRECTION AND METHOD THEREOF
摘要
申请公布号
KR20070055509(A)
申请公布日期
2007.05.30
申请号
KR20077004317
申请日期
2007.02.23
申请人
FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC.
发明人
CHEN JIAN;MENDICINO MICHAEL A.;ADAMS VANCE H.;YEAP CHOH FEI;KOLAGUNTA VENKAT R.
分类号
H01L31/113
主分类号
H01L31/113
代理机构
代理人
主权项
地址
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