| 发明名称 | 基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于自支撑SiC的GaN器件及制作方法。主要解决现有GaN器件尺寸小、电学性能差、热导率低等问题。其方法是：首先在Si片上制作掩埋氧化层BOX及表层硅SOL形成绝缘层上的硅SOI结构；再在SOL上外延生长SiC材料层；接着在SiC材料层上通过外延方法制作AlN或GaN缓冲层；接着在该缓冲层上外延生长GaN器件结构层；最后将SiC材料下面的SOI结构剥离掉，形成基于自支撑SiC的GaN器件。该GaN器件自下而上依次由SiC自支撑层、缓冲层、GaN器件结构层组成。本发明具有能够提高器件散热能力和出光效率、降低器件制作成本的优点，可用于进行HBT、HEMT、LED等器件的制作。 | ||
| 申请公布号 | CN1971943A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610105132.6 | 申请日期 | 2006.12.07 |
| 申请人 | 西安电子科技大学 | 发明人 | 郝跃;张进程;陈军峰 |
| 分类号 | H01L29/778(2006.01);H01L29/737(2006.01);H01L33/00(2006.01);H01L21/335(2006.01);H01L21/331(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 | 陕西电子工业专利中心 | 代理人 | 王品华;黎汉华 |
| 主权项 | 1.一种GaN器件，包括缓冲层，GaN器件结构层，其特征在于缓冲层的下面是一层自支撑的SiC层，构成该GaN器件的三层结构。 | ||
| 地址 | 710071陕西省西安市太白路2号 | ||