| 发明名称 | 基板处理方法以及基板处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明的基板处理方法，向在表面具有凹凸的基板供给涂敷液而在基板表面上形成涂敷膜，向旋转的基板供给涂敷液，在基板的表面上形成涂敷膜，对形成有涂敷膜的基板加热，调整涂敷膜的蚀刻条件。接着，对旋转的基板供给蚀刻液，对涂敷膜进行蚀刻后，对基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜。其后，对基板进行加热而使涂敷膜固化。由此，无需经过化学机械研磨那样的高负荷工艺，可实现均匀且高精度的涂敷膜的平坦化。 | ||
| 申请公布号 | CN1971843A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610163747.4 | 申请日期 | 2006.11.24 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 寺田正一;水野刚资;上原健 |
| 分类号 | H01L21/00(2006.01);H01L21/316(2006.01);H01L21/768(2006.01) | 主分类号 | H01L21/00(2006.01) |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 温大鹏 |
| 主权项 | 1.一种基板处理方法，相对于在表面具有凹凸的基板形成涂敷膜，其特征在于，包括以下工序：向表面具有凹凸的上述基板供给涂敷液，在上述基板的表面上形成涂敷膜的第一涂敷工序；对形成有上述涂敷膜的基板加热，调整上述涂敷膜的蚀刻条件的第一干燥工序；供给对形成在上述基板上的涂敷膜进行蚀刻的蚀刻液，对上述涂敷膜进行蚀刻的蚀刻工序；对上述基板供给涂敷液，在基板表面上形成平坦状的涂敷膜的第二涂敷工序；在上述第二涂敷工序后，对上述基板进行加热而使涂敷膜固化的第二干燥工序。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||