具有浮置栅极的非易失性存储器件以及形成其的相关方法

摘要

一种非易失性存储器件可以包括：衬底，具有单元区；以及单元器件隔离层，位于该衬底的单元区上，以限定单元有源区。浮置栅极可以包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极，而隧道绝缘图形可以位于浮置栅极与单元有源区之间。控制栅电极可以位于该浮置栅极上，而且阻挡绝缘图形可以位于该控制栅电极与浮置栅极之间。更具体地说，上部浮置栅极可以包括位于该下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分两边向上延伸的壁部分。此外，由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度可以大于该空间下部的宽度。还讨论了相关方法。

主权项

1.一种非易失性存储器件，包括：衬底，包括单元区；单元器件隔离层，布置在该衬底的单元区上，以限定单元有源区；浮置栅极，包括顺序层叠在单元有源区上的下部浮置栅极和上部浮置栅极；隧道绝缘图形，插在浮置栅极与单元有源区之间；控制栅电极，布置在该浮置栅极上；以及阻挡绝缘图形，插在该控制栅电极与浮置栅极之间，其中上部浮置栅极包括布置在下部浮置栅极上的扁平部分和一对从与该单元器件隔离层相邻的扁平部分的两边向上延伸的壁部分，而且由该扁平部分和这对壁部分包围的空间上部的宽度大于该空间下部的宽度。