发明名称 |
薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:绝缘衬底、栅线、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源电极、漏电极、数据线、钝化层、及像素电极,其中一透明膜层,形成在像素电极上方,形状与像素电极形状相同。本发明同时公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法,其在完成像素电极层沉积后再沉积一层透明膜层,通过掩模版掩模、曝光和刻蚀得到像素电极,并同时保留像素电极上方的透明膜层。本发明的改良结构和采用制造该改良结构的工艺,能够有效改善摩擦工艺造成的各种Mura(一种画面品质不良)现象,从而提高对比度,能够增大工艺冗余,延长材料使用寿命,减少工艺缺陷,提高画面品质。 |
申请公布号 |
CN1971389A |
申请公布日期 |
2007.05.30 |
申请号 |
CN200610144198.6 |
申请日期 |
2006.11.29 |
申请人 |
京东方科技集团股份有限公司 |
发明人 |
陈旭 |
分类号 |
G02F1/1362(2006.01);G02F1/133(2006.01);G03F7/20(2006.01);H01L21/00(2006.01) |
主分类号 |
G02F1/1362(2006.01) |
代理机构 |
北京同立钧成知识产权代理有限公司 |
代理人 |
刘芳 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构,包括:绝缘衬底、栅线、栅电极、栅绝缘层、硅岛、源电极、漏电极、数据线、钝化层、及像素电极,其特征在于:一透明膜层,形成在像素电极上方,形状与像素电极形状相同。 |
地址 |
100016北京市朝阳区酒仙桥路10号 |