发明名称 | 层的弛豫 | ||
摘要 | 本发明提出一种用于电子学、光学或光电子学应用的弹性无应变晶体材料层的形成方法,其特征在于,该方法使用包括第一晶体层和第二晶体层的结构来实施,第一晶体层在拉力下(或分别在压力下)弹性应变以及第二晶体层在压力下(或分别在拉力下)弹性应变,第二层与第一层相邻,其中该方法包括在两层之间的扩散步骤以使两层各自成分间的差别逐渐地降低直到它们基本相同,然后这两层形成总体上具有均匀组成的晶体材料最终单层,其中最初选择这两层各自的组成、厚度和应变程度,以使得在扩散后构成最终层的材料总体上不再显示弹性应变。 | ||
申请公布号 | CN1971850A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
申请号 | CN200610163919.8 | 申请日期 | 2006.10.27 |
申请人 | S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 | 发明人 | N·达瓦尔;Z·萨热;R·拉尔德雷 |
分类号 | H01L21/20(2006.01) | 主分类号 | H01L21/20(2006.01) |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
主权项 | 1、一种形成用于电子学、光学或光电子学应用的弹性无应变晶体材料层的方法,其特征在于,所述方法由包括在拉力下(或分别在压力下)弹性应变的第一晶体层和在压力下(或分别在拉力下)弹性应变的第二晶体层的结构实施,所述第二层与所述第一层相邻,所述方法包括在所述两层之间的扩散步骤以使所述两层各自组成间的差别逐渐降低直到它们基本相同,于是所述两层形成总体上具有均匀组成的晶体材料最终单层,并且最初选择所述两层各自的组成、厚度和应变程度,以使得扩散后构成最终层的材料总体上不再显示弹性应变。 | ||
地址 | 法国贝尔尼 |