| 发明名称 | 使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法，其包括在曝光步骤之后和曝光后的烘烤步骤之前，以至少大约40℃的水预先处理晶片，藉以有效地减少水痕缺陷。 | ||
| 申请公布号 | CN1971428A | 申请公布日期 | 2007.05.30 |
| 申请号 | CN200610151549.6 | 申请日期 | 2006.09.11 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 郑载昌;文承灿 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01);G03F7/26(2006.01);H01L21/00(2006.01) | 主分类号 | G03F7/20(2006.01) |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 1.一种使用浸没式光刻法制造半导体装置的方法，浸没式光刻法包括曝光步骤和曝光后的烘烤步骤，其特征在于还包括：在曝光步骤之后和曝光后的烘烤步骤之前，以至少40℃的水预先处理晶片。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||