| 发明名称 | 非挥发性存储器的低氢浓度电荷捕获层结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供储存单元，其包括：一半导体基板，其具有由通道区域隔开的至少两个源极/漏极区域；一置于所述通道区域上方的电荷捕获结构；以及一置于所述电荷捕获结构上方的栅极；其中所述电荷捕获结构包括一底部绝缘层、一第一电荷捕获层以及一第二电荷捕获层，其中所述底部绝缘层与所述基板之间的接口具有小于约3×10<SUP>11</SUP>/cm<SUP>2</SUP>的氢浓度，且本发明提供一形成所述储存单元的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN1967794A | 申请公布日期 | 2007.05.23 |
| 申请号 | CN200610145178.0 | 申请日期 | 2006.11.15 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 施彦豪;吴旻达;李士勤;谢荣裕;赖二琨;谢光宇 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01);H01L21/28(2006.01);H01L21/31(2006.01);H01L21/8247(2006.01);H01L29/792(2006.01);H01L29/51(2006.01);H01L27/115(2006.01) | 主分类号 | H01L21/336(2006.01) |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 1.一种形成非挥发性存储器的方法，其特征在于，其包括：在半导体基板表面的一部分上方形成一底部绝缘层；在所述绝缘层上方形成一第一电荷捕获层；使所述底部绝缘层和所述第一电荷捕获层经受退火；以及在所述第一电荷捕获层上方形成一第二电荷捕获层。 | ||
| 地址 | 台湾省新竹科学工业园区 | ||